لقد ثبت أن غشاء MOS2 ذو الطبقات له خصائص فريدة للرفض أيون ، ونفاذية المياه العالية واستقرار المذيبات على المدى الطويل ، وأظهرت إمكانات كبيرة في تحويل/تخزين الطاقة ، والاستشعار ، والتطبيقات العملية كأجهزة نانوفيلويديك. وقد تبين أن أغشية MOS2 المعدلة كيميائيا تعمل على تحسين خصائص رفض أيون ، لكن الآلية وراء هذا التحسن لا تزال غير واضحة. يوضح هذه المقالة آلية انخفاض أيون من خلال دراسة النقل الأيوني المعتمد من خلال أغشية MOS2 الوظيفية. يتم تحويل نفاذية الأيونات لغشاء MOS2 عن طريق الوظيفية الكيميائية باستخدام صبغة نافثالينسولفونات بسيطة (صفراء غروب الشمس) ، مما يدل على تأخير كبير في النقل الأيوني بالإضافة إلى حجم كبير والانتقائية القائمة على الشحنة. بالإضافة إلى ذلك ، يتم الإبلاغ عن تأثيرات درجة الحموضة ، وتركيز المذاب وحجم / شحنة أيون على انتقائية الأيونات لأغشية MOS2 الوظيفية.
وقت النشر: نوفمبر -22-2021